Framleiðandi Vöru númer:
IPD10N03LA G
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD10N03LA G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Birgðir:
12801105
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD10N03LA G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1358 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3-11
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD10N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP000017602
IPD10N03LAGXT
IPD10N03LA G-DG
IPD10N03LAG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDD8880
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
13967
HLUTARNÁMR
FDD8880-DG
Einingaverð
0.27
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IRFR3103TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IPB90N06S404ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3